Dess syntesmetod använder huvudsakligen elementärt kisel och kväve för en kemisk reaktion under betingelserna 1 300 grader Celsius till 1 400 grader Celsius, och erhåller sedan kiselnitrid. Det kan också syntetiseras genom diimin, eller kol kan användas. Termisk reduktionsreaktion syntetiseras under kväve mellan 1 400 grader Celsius och 1 450 grader Celsius. Karbotermisk reduktionsreaktion är ett enkelt sätt och ett kostnadseffektivt sätt att tillverka kiselnitridpulver inom industrin.
Om du vill deponera kiselnitrid på en halvledare kan du använda kemisk ångavsättningsteknik med lågt tryck vid en relativt hög temperatur med en vertikal eller horisontell rörugn, eller så kan du använda plasmaförstärkt kemisk ångavsättningsteknik vid en relativt hög temperatur . Utför under lågvakuum. Eftersom enhetscellparametrarna för kiselnitrid skiljer sig från de för elementärt kisel, kommer den genererade kiselnitridfilmen att generera spänning eller spänning beroende på avsättningsmetoden. Speciellt när plasmaförstärkt kemisk ångavsättningsteknik används kan den justeras med Deponeringsparametrarna verkar alltså för att minska spänningen.
Granulär kiselnitrid är svår att bearbeta och kan inte värmas över smältpunkten, för om smältpunkten överskrids kommer kiselnitriden att sönderdelas till kisel och kväve, så du måste vara uppmärksam på detta under bearbetningen.
